Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity
Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium
Prepara tus exámenes
Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity
Prepara tus exámenes con los documentos que comparten otros estudiantes como tú en Docsity
Los mejores documentos en venta realizados por estudiantes que han terminado sus estudios
Estudia con lecciones y exámenes resueltos basados en los programas académicos de las mejores universidades
Responde a preguntas de exámenes reales y pon a prueba tu preparación
Consigue puntos base para descargar
Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium
Comunidad
Pide ayuda a la comunidad y resuelve tus dudas de estudio
Descubre las mejores universidades de tu país según los usuarios de Docsity
Ebooks gratuitos
Descarga nuestras guías gratuitas sobre técnicas de estudio, métodos para controlar la ansiedad y consejos para la tesis preparadas por los tutores de Docsity
Informes y ejercicios de electronica analoga
Tipo: Ejercicios
1 / 17
Esta página no es visible en la vista previa
¡No te pierdas las partes importantes!
La teoría planteada para realizar el informe se basa en su mayoría en el uso de leyes y ecuaciones relacionadas al tema de circuitos eléctricos, como en su parte análisis grafica como su parte teórica. en general se usó en todo el circuito la teoría de análisis de mallas que se basa principalmente en el análisis de circuitos para poder resolver/encontrar tensiones o corrientes de cualquier parte de dicho circuito, así como su respectivo análisis de mallas. se implementó ecuaciones como las de ley de ohm, que se usa para determinar la relación entre la tensión, corriente y resistencia en un circuito eléctrico. hay que tener en cuenta la teoría sobre los conceptos de ramas, nodos y mallas; una rama representa a cualquier a cualquier elemento de dos terminales, un nodo es un punto de conexión entre dos o más ramas y finalmente. MARCO TEÓRICO El diodo: es un componente electrónico que solo permite el flujo de la electricidad en un solo sentido, debido a esto su funcionamiento se parece a un interruptor el cual abre o cierra los circuitos. Este dispositivo está conformado por dos tipos de materiales diferentes los cuales se traducen a dos terminales, un ánodo (+) y un cátodo (-). Composición de materiales de un diodo: El diodo está construido por dos tipos de materiales un “P” y un “N” Material tipo P: Este material se obtiene a través de un proceso de dopado, en el cual se añaden átomos al semiconductor para aumentar el número cargas positivas o huecos. Material tipo N: Este material también se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, en este proceso también se añaden átomos al semiconductor, pero con la diferencia que se aumenta el número de cargas negativas o electrones. Polarización directa: Si la corriente que traviesa el diodo lo hace en el sentido de la flecha, con el positivo de la fuente de alimentación conectado al ánodo, y el negativo en el cátodo se dice que esta polarizado en forma directa. En estas condiciones, el diodo se comporta casi como un conductor, y presenta una resistencia muy baja, por lo que los electrones atraviesan la juntura sin dificultad, comportándose prácticamente como un cortocircuito.
Imagen 1: Circuito Senoidal; 10 Vp, 100 Hz Gráfica 1: Circuito Senoidal; 10 Vp, 100 Hz ValorPico−a−Pico=Vmáxima ⋅ 2 = 10 V ⋅ 2 = 20 V error 0% El valor pico a pico calculado corresponde al simulado en Multisim. Valor promedio= Vp π
π =3,18 V ≅ 3,2 V (^) error 11.15% La fuente del error ya se en las aproximaciones del calculo ya que el simulador da un valor más exacto. Valor RMS=Vp ⋅
= 10 V ⋅ 0,707=7,07 V ≅ 7,1 V (^) error 0.4% EL valor RMS calculado corresponde al simulado en Multisim.
Nombre Valor pico a pico Valor Promedio Valor RMS Fórmula Vmáxima^ ⋅^^2 Vp π Vp ⋅
Resultado 20V 3,2V 7,1V Error 0% 11,15% 0,4% Tabla 1: Formulas, resultados y errores del circuito senoidal; 10 Vp, 100 Hz 2. Imagen 2: Circuito Triangular; ± 8 Vp, 80 Hz
El voltaje RMS ( Root Mean Square ) es el cual es una medida para dar con la magnitud eléctrica de una onda, se calcula de la siguiente manera V^ eficaz=^ V (^) p
sin embarga para ondas diferentes a una senoidal pura, se utiliza la siguiente. P=V ∗I → V =
∫ 0 T V∗I V =
0 T Vpp sin ( w∗t) dt P ( t ) =V (t )∗I ( t )=R I 2 ( t) =
2 (t ) R P=
0 T V 2 R dt=
2 R FORMULA COMPLETA RMS ∴ V =
0 T V 2 ( t) dt Nombre Valor pico a pico Valor Promedio Valor RMS Fórmula Vmáxima^ ⋅^^2 Valor promedio(V )=
∫ 0 T V ( t ) dt=
∫ 0 t (^1) Vpp e −T R∗C (^) dt+ ∫ t 1 T ∴ V = Vpp sin ( w∗t ) dt
∫ 0 T V 2 ( t ) dt Resultado 16V ---- ---- Error 0% ---- ---- Tabla 2: Formulas, resultados y errores del circuito triangular; ± 8 Vp, 80 Hz 3.
Imagen 3: Circuito Senoidal; 10 Vp, 100 Hz, filtro 1 uF Gráfica 3: Circuito Senoidal; 10 Vp, 100 Hz, filtro 10 uF
Gráfica 5: Circuito Senoidal; 10 Vp, 100 Hz, filtro 100 uF ValorPico−a−Pico=Vmáxima ⋅ 2 = 10 V ⋅ 2 = 20 V El valor pico a pico calculado corresponde al simulado en Multisim VALOR PROMEDIO Para calcular el voltaje promedio de una señal senoidal normalmente se usa la siguiente ecuación V = 2 V (^) p π o en caso de ser rectificador de onda completa V = 2 V (^) p π sin embargo aquella ecuación no es de utilidad para otros tipos de onda como; triangular y cuadrática, en ese caso se usa la ecuación general, la cual tiene en cuenta variables como el periodo, voltaje pico, la frecuencia, la velocidad angular y la constante pi. V =
∫ 0 T V ( t) dt V pp=e −T R∗C V pp=sin (w∗t) FORMULA COMPLETA Valor promedio(V )=
∫ 0 T V ( t ) dt=
∫ 0 t (^1) Vpp e −T R∗C (^) dt+ ∫ t 1 T Vpp sin ( w∗t ) dt VALOR RMS El voltaje RMS ( Root Mean Square ) es el cual es una medida para dar con la magnitud eléctrica de una onda, se calcula de la siguiente manera V (^) eficaz= V (^) p
sin embarga para ondas diferentes a una senoidal pura, se utiliza la siguiente. P=V ∗I → V =
∫ 0 T V∗I
∫ 0 T Vpp sin ( w∗t) dt P ( t ) =V (t )∗I ( t )=R I 2 ( t) =
2 (t ) R P=
∫ 0 T V 2 R dt=
2 R FORMULA COMPLETA RMS ∴ V =
∫ 0 T V 2 ( t) dt Nombre Valor pico a pico Valor Promedio Valor RMS Fórmula Vmáxima^ ⋅^^2 Valor promedio(V )=
∫ 0 T V ( t ) dt=
∫ 0 t (^1) Vpp e −T R∗C (^) dt+ ∫ t 1 T ∴ V = Vpp sin ( w∗t ) dt
∫ 0 T V 2 ( t ) dt Resultado 20V ---- ---- Error 0% ---- ---- Tabla 2: Formulas, resultados y errores de los circuitos senoidales; 10 Vp, 100 Hz, filtro 1, uF, 10 uF, 100 uF 4.
Imagen 7: Circuito Senoidal, Puentes de diodos; 15 Vp, 150 Hz, filtro 10 uF Gráfica 7: Circuito Senoidal, Puentes de diodos; 15 Vp, 150 Hz, filtro 10 uF
Imagen 8: Circuito Senoidal, Puentes de diodos; 15 Vp, 150 Hz, filtro 100 uF . Gráfica 8: Circuito Senoidal, Puentes de diodos; 15 Vp, 150 Hz, filtro 100 uF ValorPico−a−Pico=Vmáxima ⋅ 2 = 15 V ⋅ 2 = 3 0 V El valor pico a pico calculado corresponde al simulado en Multisim
Nombre Valor pico a pico Valor Promedio Valor RMS Fórmula Vmáxima^ ⋅^^2 Valor promedio(V )=
∫ 0 T V ( t ) dt=
∫ 0 t (^1) Vpp e −T R∗C (^) dt+ ∫ t 1 T ∴ V = Vpp sin ( w∗t ) dt
0 T V 2 ( t ) dt Resultado 30V ---- ---- Error 0% ---- ---- Tabla 2: Formulas, resultados y errores de los circuitos senoidales; puentes de diodos; 15 Vp, 150 Hz, filtro 1, uF, 10 uF, 100 uF CONCLUSIONES Del informe anteriormente hecho e informado podemos concluir que a pesar de los resultados simulados y experimentales no son completamente exactos, tienen cierta incertidumbre mínima que nos asegura que el planteamiento hecho está bien, ya que gracias a la simulación de los circuitos nos podemos dar cuenta de fallos cuando se desarrolla teóricamente e igualmente para saber si en simulación también está bien, también de saber cómo funcionan dichos sistemas de circuitos, que en este caso sobre primera aproximación y segunda aproximación. Gracias al informe reforzamos y ampliamos nuestros conocimientos en la solución y/un análisis de los circuitos estudiados anteriormente en la carrera, ayudándonos a recordar y prepararnos para la materia a largo plazo. Diodo semiconductor tanto para el modelo teórico como para el modelo usado en el simulador influye en que tanto se opone el diodo estudiado al flujo de corriente, así un diodo con mayor corriente de saturación inversa presentara un valor de voltaje umbral y una resistencia dinámica más pequeños que un diodo con una corriente de saturación inversa de menor magnitud, como se demostró al comparar dichas magnitudes entre los diodos 1N4004 y el 1N4148, de los cuales el 1N presentaba una mayor corriente de saturación y por tanto una menor tensión umbral y resistencia dinámica, así un diodo con una corriente de saturación mayor entrara más rápidamente a la zona de conducción y opondrá menor resistencia al flujo de corriente una vez se encuentre en dicha región. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
