LABORATORIO 5. ELECTRONICA I
Informe Laboratorio 5. Transistor Interruptor
Luis Mauricio Wilches Paz & Rubiel Mauricio Cardona Ortega
Facultad de Ingeniería, Institución Universitaria Antonio José Camacho
Cali, Valle del Cauca, Colombia
Abstract – This report details the results obtained in an
experiment carried out with the aim of studying the
characteristics of the bipolar transistor and analyzing its
behavior in different applications. During the development of
the laboratory, careful observations and measurements were
made to understand the operation of the transistor and its
utility in electronic circuits.
Palabras Clave – Transistor bipolar, Corriente de base,
Comportamiento del transistor, Interruptor electrónico.
I. INTRODUCCIÓN
El presente informe detalla los resultados obtenidos en un
experimento llevado a cabo con el objetivo de estudiar las
características del transistor bipolar y analizar su
comportamiento en diferentes aplicaciones. Durante el
desarrollo del laboratorio, se realizaron mediciones y
observaciones cuidadosas para comprender el funcionamiento
del transistor y su utilidad en circuitos electrónicos.
II. OBJETIVOS
A continuación, se presentan los objetivos del laboratorio 5:
• Estudiar las características del transistor bipolar.
• Identificar el comportamiento de la corriente en un
transistor.
• Identificar las características del transistor como
interruptor.
• Utilizar el transistor para una aplicación en particular.
• Utilizar herramientas de simulación para analizar el
comportamiento de los circuitos con transistores.
III. MARCO TEÓRICO
El transistor bipolar es un dispositivo semiconductor
fundamental en la electrónica, utilizado ampliamente en
circuitos y sistemas electrónicos. Consiste en una estructura de
tres capas de material semiconductor, generalmente de silicio,
formando dos uniones p-n. Estas capas se denominan emisor,
base y colector.
El transistor bipolar tiene dos tipos principales: NPN
(Unión Base-Negativa) y PNP (Unión Base-Positiva). En
ambos tipos, la corriente fluye desde el emisor hasta el colector
a través de la base controlada por una pequeña corriente base.
Fig. 1. Esquema transistor tipo NPN
El estudio de las características del transistor bipolar
implica la comprensión de los parámetros clave, como la
corriente de base (IB), la corriente de colector (IC) y la corriente
de emisor (IE). Estos parámetros están relacionados entre sí
mediante la relación de ganancia de corriente, denominada hFE
o beta (β). La hFE indica la amplificación de corriente que
proporciona el transistor.
Cuando se utiliza el transistor como interruptor, se explota
su capacidad para controlar grandes corrientes y voltajes con
una pequeña señal de entrada. En este modo de operación, el
transistor puede estar completamente encendido (saturado) o
completamente apagado (corte). En saturación, el transistor
NPN permite que la corriente fluya desde el colector hacia el
emisor, mientras que, en corte, la corriente se bloquea por
completo.
Fig. 2. Zonas de trabajo del transistor
